等离子去胶机和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。等离子去胶机的工作原理：等离子去胶法，去胶气体为氧气。其工作原理是将硅片置于真空反应系统中，通入少量氧气，加1500V高压，由高频信号发生器产生高频信号，使石英管内形成强的电磁场，使氧气电离，...

光学镀膜设备是现代光学和光电系统重要的组成部分，在光通信、光学显示、激光加工、激光核聚变等高科技及产业领域已经成为核心元器件，其技术突破常常成为现代光学及光电系统加速发展的主因。光学薄膜的技术性能和可靠性，直接影响到应用系统的性能、可靠性及成本。随着行业的不断发展，精密光学系统对光学镀膜设备的光谱控制能力和精度要求越来越高，而消费电子对光学薄膜器件的需求更强调超大的量产规模和普通大众的易用和舒适性。光学镀膜设备在过去几十年实现了长足的进展，从舟蒸发、电子束热蒸发及其离子束辅助...

上周NMC专业的售后服务工程师至渭南师范学院完成了原子层沉积系统NLD-3000的安装调试，并顺利验收！NLD-3000是一款PC全自动工艺控制的台式ALD系统，包含完整的安全联锁功能，能够沉积氧化物、氮化物、硫化物、氟化物、金属等高品质的薄膜，达到光学级别的表面粗糙度。阳极氧化铝腔体采用内外双层上下结构设计，加热腔壁和气动升降顶盖，一键实现顶盖开启/闭合。系统集成快速脉冲传输阀和多孔大面积加热的ALD过滤器，可吸收多余前驱体。工艺程序、温度设定值、气体流量、抽真空卸真空工序...

原子层沉积前驱体往往都是金属有机化合物，合适的前驱体种类较少而且价格昂贵；传统热原子层沉积技术因需要长时间的惰气吹扫以保证随后的表面自限制薄膜生长，沉积速率较慢，不适合大规模工业生产；随着原子层沉积技术与其他先进技术不断融合以及人们对原子层沉积设备的不断改进，诸如“等离子体增强原子层沉积技术”、“空间式原子层沉积技术”、“流化床原子层沉积技术”等新型原子层沉积技术逐渐出现并在一定程度上有效解决了传统热原子层沉积技术所面临的诸多难题。一套成熟的空间式原子层沉积设备需保证每小时超...

原子层沉积技术经过四十多年的发展，无论是在沉积材料的种类还是具体沉积方法的扩展与改进上，都已经取得了长足进步，在众多领域更是展现出令人期待的商业前景。但传统的热原子层沉积技术在发展过程中仍面临着一些挑战。比如：原子层沉积前驱体往往都是金属有机化合物，合适的前驱体种类较少而且价格昂贵；传统热原子层沉积技术因需要长时间的惰气吹扫以保证随后的表面自限制薄膜生长，沉积速率较慢，不适合大规模工业生产；此外，热原子层沉积技术难以用来沉积金属Ti，Ta等特殊材料。随着原子层沉积技术与其他先...

ICP刻蚀机作为核心刻蚀工艺设备，其工艺表现将直接影响鳍式晶体管器件的工艺性能和良率，凭借其优良的刻蚀形貌控制、均匀性控制、较低刻蚀损伤、较高刻蚀选择比等方面的技术优势，随着半导体工艺技术的发展，湿法刻蚀由于其固有的局限性，已不能满足超大规模集成电路微米、甚至纳米级细线条的工艺加工要求，干法刻蚀逐渐发展起来。在干法刻蚀中，感应耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma简称ICP)刻蚀法由于其产生的离子密度高、蚀刻均匀性好、蚀刻侧壁垂直度高以及光洁度好，逐渐...

在各种集成电路的制造过程中，随着清洗方法的不断创新与联合应用，目前的硅片清洗机已不再是一个简单的制作步骤，而是一个系统的清洗工程。硅片清洗技术的革新与发展，推动了清洗设备制造企业加大研发力度，不仅仅是制造出设备，从某个角度来说，还需根据各家硅片生产企业的具体情况提供不同的清洗方案和设备定制设计，帮客户大限度地降低成本和减少损失，同时尽量减少清洗设备本身可能带来的沾污。未来的硅片清洗机将向整合性，集成化与全自动的方向发展。由于硅片表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性和成品率...

硅片清洗机不仅保留了超声波清洗的优点，而且克服了超声波清洗的缺点。兆声无损清洗机的工作原理是利用高能（850kHz）频率效应和化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗。在清洗过程中，换能器发出的高能声波波长为1m，频率为0.8MHZ。在声波的驱动下，溶液的分子运动得更快。瞬时速度可达30cm/s。因此，无法形成超声清洗等气泡。相反，硅片清洗机只能用高速的流体波不断地冲击晶圆片表面，迫使附着在晶圆片表面的微小污染物颗粒被去除并进入清洗溶液中。经济的发展，人们的生活水平不断提高，对消费...