• ICP刻蚀机先行一步,走在国产替代前列
    点击次数:207 发布时间:2020-05-14
      ICP刻蚀机作为核心刻蚀工艺设备,其工艺表现将直接影响鳍式晶体管器件的工艺性能和良率,凭借其优良的刻蚀形貌控制、均匀性控制、较低刻蚀损伤、较高刻蚀选择比等方面的技术优势,
     
      随着半导体工艺技术的发展,湿法刻蚀由于其固有的局限性,已不能满足超大规模集成电路微米、甚至纳米级细线条的工艺加工要求,干法刻蚀逐渐发展起来。在干法刻蚀中,感应耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma简称ICP)刻蚀法由于其产生的离子密度高、蚀刻均匀性好、蚀刻侧壁垂直度高以及光洁度好,逐渐被广泛应用到半导体工艺技术中。
     
      ICP刻蚀机的基本原理是在真空低气压下,ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈,以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电,产生高密度的等离子体,在下电极的RF射频作用下,这些等离子体对基片表面进行轰击,基片图形区域的半导体材料的化学键被打断,与刻蚀气体生成挥发性物质,以气体形式脱离基片,从真空管路被抽走。
     
      现代半导体工艺对刻蚀的要求越来越高,ICP刻蚀设备满足了这种需求。为保证工艺的稳定性、重复性,设备的稳定性是关键因素之一。熟练掌握ICP刻蚀机的原理与组成构造,掌握影响ICPE工艺的各方面因素,可以极大的缩短设备故障后的修复时间。另外,定期对设备进行保养也是保证设备稳定的一个重要手段。
点击这里给我发消息
 

化工仪器网

推荐收藏该企业网站
扫一扫访问手机站扫一扫访问手机站
访问手机站