ICP刻蚀机作为核心刻蚀工艺设备，其工艺表现将直接影响鳍式晶体管器件的工艺性能和良率，凭借其优良的刻蚀形貌控制、均匀性控制、较低刻蚀损伤、较高刻蚀选择比等方面的技术优势，
随着半导体工艺技术的发展，湿法刻蚀由于其固有的局限性，已不能满足超大规模集成电路微米、甚至纳米级细线条的工艺加工要求，干法刻蚀逐渐发展起来。在干法刻蚀中，感应耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasma简称ICP)刻蚀法由于其产生的离子密度高、蚀刻均匀性好、蚀刻侧壁垂直度高以及光洁度好，逐渐被广泛应用到半导体工艺技术中。
ICP刻蚀机的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
现代半导体工艺对刻蚀的要求越来越高，ICP刻蚀设备满足了这种需求。为保证工艺的稳定性、重复性，设备的稳定性是关键因素之一。熟练掌握ICP刻蚀机的原理与组成构造，掌握影响ICPE工艺的各方面因素，可以极大的缩短设备故障后的修复时间。另外，定期对设备进行保养也是保证设备稳定的一个重要手段。
