NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统:NM的PECVD能够沉积高质量SiO2,Si3N4,或DLC膜到Z大可达12”的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5cfm的机械泵，真空可低至10-7torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。

微波等离子化学气相沉积系统:NM的微波PECVD能够沉积高质量SiO2,Si3N4,或DLC膜到Z大可达12”的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5cfm的机械泵，真空可低至10-7torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。

微波PECVD:NM的微波PECVD能够沉积高质量SiO2,Si3N4,或DLC膜到Z大可达12”的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5cfm的机械泵，真空可低至10-7torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。

NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统:NM的PECVD能够沉积高质量SiO2,Si3N4,DLC膜到Z大可达6”基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5cfm的机械泵，真空可低至10-7torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。