• NPE-4000(ICPM)ICPECVD等离子体化学气相沉积系统:NM的PECVD能够沉积高质量SiO2,Si3N4,或DLC膜到Z大可达12”的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5cfm的机械泵,真空可低至10-7torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
  • 微波PECVD:能够沉积高质量的SiO2,Si3N4,或DLC薄膜到Z大可达12“直径的基片上.采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5cfm的机械泵,腔体可以达到低至10-7torr的真空。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体。
  • NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统:NM的PECVD能够沉积高质量SiO2,Si3N4,DLC膜到Z大可达6”基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5cfm的机械泵,真空可低至10-7torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
  • NPE-4000(A)全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统:NM的PECVD能够沉积高质量SiO2,Si3N4,或DLC膜到Z大可达12”的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源,样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5cfm的机械泵,真空可低至10-7torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。
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