• NLD-3000原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
  • 等离子体增强MOCVD:针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5x10-7Torr极限真空)、PC全自动控制,完全的安全
  • 金属有机化学气相沉积系统:针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5x10-7Torr极限真空)、PC全自动控制。
  • NMC-4000(M)PA-MOCVD设备:针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵(5x10-7Torr极限真空)、PC全自动控制。
共 9 条记录,当前 1 / 3 页  首页  上一页  下一页  末页  跳转到第页 
扫一扫访问手机站扫一扫访问手机站
访问手机站