NLD-4000（ICPM）PEALD系统：ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

NLD-3000原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

进口ALD设备：ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

等离子体增强MOCVD：针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有5个鼓泡装置（各带独立的冷却槽）、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、 250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵（5 x 10-7Torr极限真空）、PC全自动控制，*的安全