NANO-MASTER NLD-4000 型等离子增强原子层沉积系统可以提供高品质的薄膜沉积，通过配套 ICP 离子源系统可以支持 PEALD 和 T-ALD 等广泛应用。

众多的优势配置，使得NLD-4000 型系统具有许多优势：

√ 超高的薄膜均匀性

√ 良好的粘附力

√ 超净的沉积（高真空支持）

√ 出色的工艺控制

√ 高度的可重复性（计算机全自动工艺控制）

√ 易使用（可直接调用编好的工艺程序）

√ 运行可靠（所有核心组件均带有保护）

√ 低维护（完整的安全互锁）

√ 高、低温基片样品台

√小的占地面积 26”x44”

√  全自动工艺控制

客户案例参数：

Al₂O₃生长

案例表明：采用热原子层沉积技术，在6”晶圆片上生长 Al2O3（采用 TMA 和水），200℃温度，分别使用 100个cycle（沉积速率 1.3Å）和 300 个cycle（沉积速率1.2Å），生长的膜厚分别为136 Å和360Å，膜厚均匀度分别为 0.36%和0.27%（6”晶圆范围），折射率分别为1.68 和 1.67，可以实现非常高的均匀度和稳定性。

GaN生长

案列表明：采用等离子辅助沉积技术，在6”晶圆片上生长 GaN（采用GaCl3和N2等离子），400℃温度，使用150个cycle（Cycle时间10s,脉冲时间60ms），生长的膜厚为244Å，膜厚均匀度分别为0.3%（6”晶圆范围），可以实现非常高的均匀度和稳定性。

01 产品优势之 ICP源

NANO-MASTER ICP 源为淋浴头平面远程离子源，均匀气流分布、高离子密度（优于10¹¹）、低等离子温度、低等离子势能、低腔体占空比，使该系统具有等离子分布均匀、生长速率高、薄膜损伤低、Cycle时间快、薄膜纯度高的优势。无石英视窗腐蚀问题。

02 产品优势之 工艺

通过我们的工艺和设备设计，对于氧化物和氮化物的生长，我们可以实现工艺时间减半，效率加倍。不用 NH3 可降低 H 掺杂，且不用处理 NH3 尾气。

主要工艺优势如下：

√ 生长/周期：2.3Å/Cycle（可达到加倍的效率）；

√ 膜厚偏差：优于 0.37%；

√ 薄膜保形型：接近于 100%的阶梯覆盖率（三维镀膜）；

√ 兆分之一级的表面粗糙度（光学级别）；

√ 短 Cycle 时间（效率加倍）；

√ 超净的沉积（前驱体切换更*）；

√ 兼容百级超净间使用；

√ 设计：热工艺和等离子工艺可在小化的腔体空间内完美完成；

√ 灵活性：在选择材料和前驱体方面具有大的弹性（可支持任意尺寸和形状）；

√ 薄膜品质：通过涡轮分子泵进一步优化杂质去除，获得更高品质的高纯薄膜；

√ 等离子源：平面的远程 ICP 源设计，带淋浴头气流分布；

√ 软件：带 Labview 软件的全自动设计，直观的界面，提供大的弹性和重复性，同时维持工艺的动态控制；

√ 占地面积：紧凑型设计，NLD-3500 仅 26”x26”，NLD-4000 仅 26”x44”

03 产品优势之 腔体设计

NANO-MASTER采用紧凑型优化设计的13”阳极氧化铝，带一键式气动升降顶盖的腔体设计，使得该腔体在操作和维护方面具有非常便捷的优势，并且避免机械摩擦造成的腔门磨损问题。超净的阳极氧化铝腔体可以兼容百级超净间使用。观察视窗位于下腔体，可实时观察腔体内的等离子情况。

04 产品优势之 样品台

NLD-4000 可升级为带 RF 的偏压样品台，用于沉积前对基片的等离子预清洗，或用于腔体清洗。z高可加热到 400℃并在整个样片区域保持高均匀度，通过 PID 精确控温维持温度稳定。如果选配 Auto L/UL，样品台可升级为带顶针升降机制的样品台，可从预真空臂自动传输样片。

05 产品优势之 真空系统（分子泵为选配）

NANO-MASTER磁悬浮涡轮分子泵，超低维护率，抽速可达 500L/Sec。采用真空直连设计，分子泵和腔体之间具有z佳的真空传导率。系统可以在 8小时内达到极限真空（3x10-7Torr），20 分钟可达到 10-6Torr 量级的高工艺真空。系统通过计算机直接控制涡轮分子泵的涡轮速度，可以实现工艺腔体下游压力的全自动调节，快速稳定。如无磁悬浮涡轮分子泵，系统配置真空泵，可以达到 50mTorr 的极限真空。

06 产品优势之 自动预真空室（选配）

预真空室有全自动上下片功能，支持单晶圆自动上下片，可以支持在不中断工艺腔真空的状态下连续处理。该功能可全自动实现包含自动进样、自动对准、自动送出样品，升降单元可实现快速定位，并且确保晶圆片跟样品台直接接触，获得z佳的温度传导率。自动预真空室包含步进电机线性驱动，气动隔离门，70L/Sec 抽速的涡轮分子泵和 ISP-250型干泵，本底真空可达 5x10-6Torr，并配套独立的 Inficon 全局真空计。自动上下载片配置使得热基片在暴露大气环境之前可在 N2 气氛中冷却，避免氧化。

07 产品优势之 ALD过滤器

NANO-MASTER NLD 系列的 ALD 系统均配置大面积的 ALD Filter，该过滤器可以吸收多余的没有反应掉的前驱体，无需额外处理前驱体的尾气，一方面可以保护真空泵长期稳定运行，另一方面可以大大节省后期的尾气处理成本。

08 产品优势之 软件控制

系统通过 Labview 软件和 21”触屏监控屏幕提供友好的操作界面，通过计算机实现全自动的工艺控制，使得该 PEALD 系统具有高度的可重复性。*的安全互锁，四级密码授权访问保护，包含：操作者（运行菜单）、工程师（独立控制子系统及菜单开发）、工艺工程师(编写程序)、维护，菜单驱动。真空、气流、分子泵速度、偏压、阀门状态等各工艺参数实时显示。

Al2O3生长工艺界面

GaN生长工艺界面

09 产品优势之 前驱体安全气柜

系统为前驱体配套独立的手套箱安全气柜，这在打开前驱体容器的手动阀时可提供额外的安全保护。

多可提供 7 路 50cc 容器，用于液态、固态、粉末等前驱体，带电抛光不锈钢气体管路。对于液态容器z高可加热到 200℃，管路和阀门可加热到 130℃，带 PID 精确温度控制，通过计算机可设定加热温度。每路前驱体包含独立的 ALD 脉冲阀、管路和阀门加热器，及传输管路。

10 产品优势之 系统设计

系统提供紧凑型的设计，占地面积紧凑，性能出色，控制先进，全面的安全保障。先进的设计，确保了系统紧凑的同时维持了高品质的性能。对于 4000 型系统，左侧为手套箱安全气柜、气路和真空相关的配置，右侧为控制和仪表的配置。

11 产品优势之 影响力

Compound Semiconductor Journal 复合半导体期刊关于我们的 ALD 系统的报道：

Ammonia free ALD nitrides films 无氨 ALD 氮化物薄膜生长

GaN 和 AlN 通过 N2 等离子沉积，消除了对氨气的依赖，对运行成本带来很大的节省。由于处理氨气要求工艺减排。

Paper Presented at the 2016 ICMCTF Conference 发布于 2016 年薄膜会议上的论文：

PE-ALD Deposition of GaN using GaCl3 and N2 on Si wafers

使用 GaCl3 和 和 N2在硅晶圆表面上通过等离子增强 ALD系统沉积 GaN

使用我们的 ALD 系统于 GaN 生长，我们已经证明了可使用连续的N2等离子和单前驱体脉冲来实现，或者以短的可能 Cycle 时间来实现。

生长的结果表明： 

√ 在许多 Cycles 中保持线性

√ Cycle 时间和温度之间互不影响

√ 膜厚为 2Å

以上所列的产品优势、NM专业娴熟的技术研发团队以及可靠及时的售后服务是NM产品质量的保证。NLD-4000型原子层沉积系统在国内外均有销售，并且得到了客户们的好评。NM将继续用我们的实力、我们的专业、我们的诚意为您提供优质的产品及服务。