• 影响微波等离子去胶清洗机性能的四大因素

    点击次数:109 发布时间:2022-05-20

     
      微波等离子去胶清洗机是石英腔的微波等离子系统,可以安装到超净间墙上。该系列的微波等离子系统可以用于批处理,也可以作为单片处理,系统为计算机全自动控制的系统。典型工艺包含:大剂量离子注入后的光刻胶去除;干法刻蚀工艺的前处理或后处理;MEMS制造中的牺牲层去除。
     
      下面为大家介绍微波等离子去胶清洗机使用中的四大影响因素,希望对大家有所帮助。
     
      一、调整合适的频率:
     
      频率越高,氧越容易电离形成等离子体。如果频率过高,使电子振幅短于其平均自由程,电子与气体分子碰撞的概率就会降低,导致电离率降低。通常,公共频率为13.56MHz和2.45GHz。
     
      第二,调整适当的权力:
     
      关于一定量的气体,功率大,等离子体中活性粒子的密度也高,脱胶速度也快;但当功率增加到一定值时,响应消耗的活性离子达到饱和,脱胶速度随功率的增加不明显增加。由于功率大,衬底温度高,需要根据技术要求调整功率。
     
      第三,调整合适的真空度:
     
      适当的真空度可以使电子运动的平均自由程更大,因此从电场中获得的能量更大,有利于电离。此外,当氧气流量必须准时时,真空度越高,氧气的相对份额越大,活性颗粒浓度越大。但如果真空度过高,活性粒子的浓度反而会降低。
     
      四、氧气流量的调整:
     
      氧气流量大,活性颗粒密度大,脱胶速率加快;但如果通量过大,离子的复合几率增加,电子运动的平均自由程缩短,电离强度反而降低。如果回转室的压力不变,流量增加,则还增加了被抽出的气体量,也增加了不参与回转的活性颗粒量,因此流量对脱胶率的影响不是很显著。
     
      等离子去胶机是半导体行业工业化生产不可少的设备;
     
      高密度2.45GHz微波等离子体技术用于半导体制造中晶圆的清洗、脱胶和等离子体预处理。等离子体清洗脱胶活性高,对器件无离子损伤。微波等离子体脱胶机是微波等离子体处理技术的新产品。该晶圆灰化设备成本低、尺寸适中、性能先进,特别适用于工业生产和科研机构。
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