• 产品名称:进口ALD设备

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    产品特点:进口ALD设备:ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

    进口ALD设备的详细资料:

    进口ALD设备概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

    进口ALD设备特点:

    • 占地面积小
    • 计算机控制,Labview软件全自动工艺控制
    • 360A厚的AL2O3膜,误差为±1A
    • 三维镀膜,接近100%的阶梯覆盖率
    • 设备集成安全气柜
    • 10mTorr的极限真空
    • 可支持6“,8”基片(升级支持12“,或定制更大尺寸)
    • 样品台可加热至400℃(可选加热到500℃)
    • 手动/自动上下载片可选
    • 支持多达7路的50ml的液态或固态前驱体瓶源

    进口ALD设备选配:

    • 下游式远程平面ICP源或中空阴极离子源,支持PEALD
    • 自动上下片,单片或25片cassette
    • 增加额外的液态qia前驱体或额外的fan'ying反应气路
    • 300l/sec的磁悬浮涡流分子泵,5*10-7Torr极限真空
    • 大尺寸的基片或fe粉末的沉积
    • QCM原位膜厚监控系统

    进口ALD设备应用:

    • Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etc
    • Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
    • Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.
    • Nano laminates纳米复合材料
    • 高K介质
    • 疏水性涂覆
    • 钝化层
    • 高深宽比扩散阻挡层的铜连接
    • 微流控ying'yo应用的保形性涂覆
    • 燃料电池z中诸如催化层的单金属涂覆 

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