空间环境模拟试验设备腔体的大致尺寸为：直径24"，长度43"。带有一个16"x32"的滑动加热平，可以冷却到零下100摄氏度。热真空平台也可以加热到150摄氏度，具有高度的均匀度。在去边3cm后整个平台的温度均匀度可达/-1摄氏度。加热平台安装在滚轴上，可以方便拉出至大到75%的长度，腔体提供20个RF连接头，尺寸为2.92mm，可以支持高达40GHz的频率。腔体的两侧分别有一个50针的引线。真空系统包含HiPace1200（1000L/s抽速）涡轮分子泵以及一个ISP500...

RIE刻蚀机是干蚀刻的一种，这种蚀刻的原理是，当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radiofrequency）时会产生数百微米厚的离子层（ionsheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（ReactiveIonEtching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，必须对真空度，气体流量，离子加速电压等进行最佳调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用...

Nano-Master的远程微波等离子体化学气相沉积（PECVD）系统应用范围广泛，包含：基片或粉体的等离子诱导表面改性等离子清洗粉体或颗粒表面等离子聚合SiO2,Si3N4或DLC及其他薄膜CNT和石墨烯的选择性生长单晶或多晶金刚石生长微波模块：NANO-MASTER高质量长寿命远程微波源，频率为2.45GH，微波发射功率可以自主调节，微波反射功率可通过调节降低至发射功率的千分之一以内。远程微波源，可实现无损伤缺陷的沉积或生长。设备腔体：水冷侧壁，确保在高温工艺下腔体外表面...

主要用途：MEMS压力传感器加工工艺中光刻胶批量处理；去除有机或无机物，而无残留；去胶渣、深刻蚀应用；半导体晶圆制造中光刻胶及SU8工艺；平板显示生产中等离子体预处理；太阳能电池生产中边缘绝缘和制绒；先进晶片(芯片)封装中的衬底清洁和预处理；工作原理介绍：为了产生等离子，系统使用远程微波源。氧在真空环境下受高频及微波能量作用，电离产生具有强氧化能力的游离态氧原子，它在高频电压作用下与光刻胶薄膜反应，反应后生成的CO2和H2O通过真空系统被抽走。CF4气体可以达到更快速的去胶速...

兆声清洗机是一款带有小占地面积的理想设备，并且很容易安装在空间有限的超净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力，并可用于非常广泛的基片。提供了可控的化学试剂滴胶能力，这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统，可以zui大程度节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力，提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。兆声清洗机具有以下特点：1、械手或多机械手组合，实现工位工艺要求。2、PLC全程序控制与触摸屏操作界面，操作便利。3、...

硅片清洗机是利用超声波清洗技术，在清洗过程中超声波频率在合理的范围内往复扫动，带动清洗液形成细微回流，使工件污垢在被超声剥离的同时迅速带离工件表面，提高清洗效率。一、硅片清洗机的工作原理是什么1、真空脱气，有效去除液体中气体，且运用抛动功能，增强超声对工件表面油污和污垢的清洗能力，缩短清洗时间。2、洗篮转动机构，重叠不可分拆的零件或形状复杂的零件，也可做到均匀完整的清洗。3、减压真空系统，能吸出盲孔、缝隙及叠加零件之间的空气，使超声波在减压的状态下产生惊人的清洗效果。4、真空...

微波等离子去胶机适用于小批量生产和研发的设备。并且，此系统可以满足360度的芯片封装需要。AL18系统是一款创新型的通用设备，可选配旋转转盘，及ECR(电子回旋共振)装置。微波等离子去胶机的工作原理：氧等离子去胶是利用氧气在微波发生器的作用下产生氧等离子体，具有活性的氧等离子体与有机聚合物发生氧化反应，是的有机聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，从而达到去除光刻胶的目的，这个过程我们有时候也称之为灰化或者扫胶。氧等离子去胶相比于湿法去胶工艺更为简单、适应性更好，去胶过程纯...

主要功能：主要用于半导体应用，及各种需要进行微纳工艺溅射镀膜的情形。可以用于金属材料（金、银、铜、镍、铬等）的直流溅射、直流共溅射，绝缘材料（如陶瓷等）的射频溅射，以及反应溅射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及对温度敏感的有机柔性基片等。工作原理：通过分子泵和机械泵组成的两级真空泵对不锈钢腔体抽真空，当广域真空计显示的读数达到10-6Torr量级或更高的真空时，主系统的控制软件通过控制质量流量计精确控制Ar气体(如需要溅射氧化物薄膜，可增加O2)，此时可以设定工艺所...