英飞凌采购SAI 飞行时间二次离子质谱仪（MiniSIMS-ToF）助力芯片失效分析

全-球-领-先的半导体制造商英飞凌（Infineon Technologies）采购英国Scientific Analysis Instruments Ltd.（SAI）公司研发的MiniSIMS-ToF飞行时间二次离子质谱仪。此次采购标志着这家全球半导体龙-头-企业对台式二次离子质谱仪在芯片封装失效分析领域应用价值的认可。

深耕芯片封装失效分析，破解分层难题

在集成电路封装工艺中，分层（delamination）是最常见的失效模式之一，尤其在经历热应力之后尤为突出。分层的根本原因通常来自引线框架过度热氧化、表面污染物或工艺参数不当等。铜氧化层低于30nm时有助于增强模塑化合物与引线框架的结合力，但过度氧化会使界面力急剧恶化；而仅单分子层厚度的污染物，就足以影响不同材料层之间的结合力。

针对这一行业痛点，英飞凌的失效分析团队Huan Xu、Haishu Zhang、Ming Xue在IEEE第15届电子封装技术会议（EPTC） 上发表了题为《A case study of package delamination with combination of EDX and MiniSIMS》的论文[1]。该研究系统展示了EDX与MiniSIMS联用在芯片封装分层分析中的高效方法。论文明确指出，EDX可提供近表面（最深约3μm）的元素成分分析，但对于纳米级厚度的有机污染物无能为力；而MiniSIMS可提供亚纳米级采样深度的表面表征，给出分子和结构信息，灵敏度达ppm级，且具备静态SIMS、成像SIMS和深度剖析三种工作模式。两者的结合对于快速找到分层根本原因至关重要，该方法易于工业用户操作，尤其适用于快速判断引线框架过度氧化和表面污染等常见问题。

屡获殊荣的台式SIMS，重新定义表面分析

SAI公司总部位于英国曼彻斯特，其创新研发的MiniSIMS仪器曾荣获欧洲及美国多项殊荣，其中包括R&D100奖。与传统大型超高真空SIMS设备不同，MiniSIMS将强-大的SIMS分析能力集成于一台桌面设备中，对实验室空间和配套设施要求极低。

MiniSIMS-ToF全面支持三种工作模式：静态SIMS（表面单分子层分析）、成像SIMS（微米级空间分辨的化学分布成像）及动态SIMS（深度剖面分析）。其采样深度小于2nm，可同时分析无机及有机物种。在分析速度方面，MiniSIMS可在30秒内获取谱图并实现精准识别。得益于其高通量分析能力，单个样品的检测成本相比传统UHV SIMS设备最高可降低90%。

全球众多知-名机构信赖之选

除了英飞凌，SAI MiniSIMS系列产品已在全球多个科研院所和工业实验室获得应用。根据公开信息，MiniSIMS的典型用户还包括：

· Siemens（西门子

· Hitachi（日立）

· NASA（美国宇航局）

· 3M

在学术研究领域，MiniSIMS同样获得了广泛认可。英国利物浦大学采购了MiniSIMS，其生物医学工程方向利用MiniSIMS进行生物材料表面分析。此外，诺森比亚大学、伦敦帝国理工学院、芬兰约恩苏大学、意大利布雷西亚大学、爱尔兰都柏林城市大学等院校也先后采购了MiniSIMS。

关于SAI

Scientific Analysis Instruments Ltd.（SAI）是一家专注于表面分析仪器研发的英国公司，总部位于曼彻斯特。其MiniSIMS系列产品以台式化、高性价比为特色，将传统上需要大型超高真空系统的SIMS能力集成于桌面设备中。

关于SAI MiniSIMS在中国

那诺中国作为SAI MiniSIMS在中国的总代理商，我们致力于为国内科研与工业用户提供高性价比的表面分析解决方案。如需了解更多产品信息或预约演示，欢迎联系我们。

[1] H. Xu, H. Zhang, and M. Xue, "A case study of package delamination with combination of EDX and MiniSIMS," in 2013 IEEE 15th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC), Singapore, 2013, pp. 403-406. DOI: 10.1109/EPTC.2013.6745751（本文献可经由IEEE Xplore数字图书馆查阅）