• 原子层沉积设备能有效地避免管路堵塞及交叉污染问题

    点击次数:50 发布时间:2022-12-28

      原子层沉积设备是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
      
      原子层沉积设备的特点
      
      1、传输管路的优化设计,有效地避免管路堵塞及交叉污染问题
      
      2、工业化级别标准集成:PLC+工控机+触摸屏
      
      3、软件操作界面友好,可真正实现“一键沉积”
      
      4、完善全面的安全互锁方案
      
      5、实时监测镀膜工艺
      
      技术指标
      
      1、本底真空:<5.0×10-3torr,高性能机械泵(可定制其它款型)
      
      2、样品腔室:φ100mm+真空过渡腔(可定制其它款型)
      
      3、前驱体源:3路
      
      4、氧化/还原反应物:3路
      
      5、沉积温度:室温-500℃(可定制其他温度)
      
      6、前驱体管道温度:室温-120℃(可定制其他温度)
      
      7、源瓶加热温度:室温-120℃(可定制其他温度)
      
      原子层沉积设备是一款全自动独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统,带Labview软件,具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计,并提供了强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜(如:AL2O3,AlN,TiN,ZrO2,LaO2,HfO2,等等)。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。
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