原子层沉积设备是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
原子层沉积设备的特点
1、传输管路的优化设计，有效地避免管路堵塞及交叉污染问题
2、工业化级别标准集成：PLC+工控机+触摸屏
3、软件操作界面友好，可真正实现“一键沉积”
4、完善全面的安全互锁方案
5、实时监测镀膜工艺
技术指标
1、本底真空：＜5.0×10-3torr，高性能机械泵（可定制其它款型）
2、样品腔室：φ100mm+真空过渡腔（可定制其它款型）
3、前驱体源：3路
4、氧化/还原反应物：3路
5、沉积温度：室温-500℃（可定制其他温度）
6、前驱体管道温度：室温-120℃（可定制其他温度）
7、源瓶加热温度：室温-120℃（可定制其他温度）
原子层沉积设备是一款全自动独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统，带Labview软件，具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜（如：AL2O3,AlN,TiN,ZrO2,LaO2,HfO2,等等）。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。
