ICP刻蚀机是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物(如GaAs，InP，GaN，InSb)、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。
ICP刻蚀机的工作原理：
感应耦合等离子体刻蚀法(InductivelyCoupledPlasmaEtch，简称ICPE)是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
ICP刻蚀机的结构：
ICP设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分。
(1)预真空室
预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度，不受外界环境(如：粉尘、水汽)的影响，将危险性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。
(2)刻蚀腔体
刻蚀腔体是ICP刻蚀设备的核心结构，它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有：上电极、ICP射频单元、RF射频单元、下电极系统、控温系统等组成。
(3)供气系统
供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体，通过压力控制器(PC)和质量流量控制器(MFC)精准的控制气体的流速和流量。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成。
(4)真空系统
真空系统有两套，分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空，只有在预真空室真空度达到设定值时，才能打开隔离门，进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供，刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。
