进口ALD设备原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术，具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。
进口ALD设备特点：
占地面积小
计算机控制，Labview软件全自动工艺控制
360A厚的AL2O3膜，误差为±1A
三维镀膜，接近100%的阶梯覆盖率
设备集成安全气柜
10mTorr的极限真空
可支持6“，8”基片（升级支持12“，或定制更大尺寸）
样品台可加热至400℃（可选加热到500℃）
手动/自动上下载片可选
支持多达7路的50ml的液态或固态前驱体瓶源
进口ALD设备选配：
下游式远程平面ICP源或中空阴极离子源，支持PEALD
自动上下片，单片或25片cassette
增加额外的液态qia前驱体或额外的fan'ying反应气路
300l/sec的磁悬浮涡流分子泵，5*10-7Torr极限真空
大尺寸的基片或fe粉末的沉积
QCM原位膜厚监控系统
