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等离子去胶机影响处理效果的四大因素

更新时间:2023-02-26      浏览次数:513
  等离子去胶机具有体积小,性能优良、用途多、工艺速率高、均匀性及重复性好、价格低、使用方便等特点。是各电子器件企业及科研单位、大专院校的机型。适合于微电子制作工艺中光刻胶的去胶工艺,同时有RIE刻蚀功能,可以刻蚀Si、SiO2、SiN。已出口国外。
  
  等离子去胶机主要性能:
  
  1.开放式设计,可快速加载和卸载晶圆。
  
  2.基片放置在石英上,以避免溅射/再沉积电极材料
  
  3.通过顶部电极上的“莲蓬头”进气口将气体注入工艺室
  
  4.电感耦合等离子体(ICP)和电极的独立射频发生器提供对离子能量和离子密度的独立控制
  
  5.高电导泵浦端口提供高的气体吞吐量,以最快的腐蚀速率
  
  6.使用等离子体源,生成单原子反应种。氧是最常见的反应物质。
  
  影响等离子去胶机处理效果的四大因素:
  
  1.频率的调整:频率越高,氧越易电离构成等离子体。频率太高,以致电子振幅比其平均自由程还短,则电子与气体分子磕碰概率反而减少,使电离率降低。
  
  2.功率的调整:关于必定量的气体,功率大,等离子体中的的活性粒子密度也大,去胶速度也快;但当功率增大到必定值,反响所能耗费的活性离子到达饱满,功率再大,去胶速度则无显着添加。由于功率大,基片温度高,所以应根据技术需求调理功率。
  
  3.真空度的调整:恰当的真空度,可使电子运动的平均自由程变大,因而从电场取得的能量就大,有利电离。别的当氧气流量必守时,真空度越高,则氧的相对份额就大,发生的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高,活性粒子浓度反而会减小。
  
  4.氧气流量的调整:氧气流量大,活性粒子密度大,去胶速率加速;但流量太大,则离子的复合概率增大,电子运动的平均自由程缩短,电离强度反而降低。若反响室压力不变,流量增大,则被抽出的气体量也添加,其间尚没参与反响的活性粒子抽出量也随之添加,因而流量添加对去胶速率的影响也就不甚显着。
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