等离子去胶机具有体积小，性能优良、用途多、工艺速率高、均匀性及重复性好、价格低、使用方便等特点。是各电子器件企业及科研单位、大专院校的机型。适合于微电子制作工艺中光刻胶的去胶工艺，同时有RIE刻蚀功能，可以刻蚀Si、SiO2、SiN。已出口国外。
等离子去胶机主要性能：
1.开放式设计，可快速加载和卸载晶圆。
2.基片放置在石英上，以避免溅射/再沉积电极材料
3.通过顶部电极上的“莲蓬头”进气口将气体注入工艺室
4.电感耦合等离子体(ICP)和电极的独立射频发生器提供对离子能量和离子密度的独立控制
5.高电导泵浦端口提供高的气体吞吐量，以最快的腐蚀速率
6.使用等离子体源，生成单原子反应种。氧是最常见的反应物质。
影响等离子去胶机处理效果的四大因素：
1.频率的调整：频率越高，氧越易电离构成等离子体。频率太高，以致电子振幅比其平均自由程还短，则电子与气体分子磕碰概率反而减少，使电离率降低。
2.功率的调整：关于必定量的气体，功率大，等离子体中的的活性粒子密度也大，去胶速度也快；但当功率增大到必定值，反响所能耗费的活性离子到达饱满，功率再大，去胶速度则无显着添加。由于功率大，基片温度高，所以应根据技术需求调理功率。
3.真空度的调整：恰当的真空度，可使电子运动的平均自由程变大，因而从电场取得的能量就大，有利电离。别的当氧气流量必守时，真空度越高，则氧的相对份额就大，发生的活性粒子浓度也就大。但若真空度过高，活性粒子浓度反而会减小。
4.氧气流量的调整：氧气流量大，活性粒子密度大，去胶速率加速；但流量太大，则离子的复合概率增大，电子运动的平均自由程缩短，电离强度反而降低。若反响室压力不变，流量增大，则被抽出的气体量也添加，其间尚没参与反响的活性粒子抽出量也随之添加，因而流量添加对去胶速率的影响也就不甚显着。
