在众多半导体工艺中，刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀采用化学腐蚀进行，是传统的刻蚀工艺。它具有各向同性的缺点，即在刻蚀过程中不但有所需要的纵向刻蚀，也有不需要的横向刻蚀，因而精度差，线宽一般在3um以上。
RIE-PE刻蚀机是因大规模集成电路生产的需要而开发的精细加工技术，它具有各向异性特点，在zui大限度上保证了纵向刻蚀，还可以控制横向刻蚀。介绍的RIE-PE刻蚀机就是属于干法ICP刻蚀系统。
RIE-PE刻蚀机为了适应工艺发展需求，各家设备厂商都推出了一系列的关键技术来满足工艺需求。主要有以下几类；
2、等离子体技术：等离子体密度和能量单独控制。
3、等离子体约束：减少Particle，提高结果重复性。
4、工艺组件：适应不同工艺需求，对应不同的工艺组件，比如不同的工艺使用不同。
1、双区进气的目的是通过调节内外区敏感气体的量提高整个刻蚀均一性，结果比较明显。
6、反应室结构设计；由200mm时的侧抽，改为下抽或者侧下抽。有利于提高气流均一性。
5、 Narrow Gap：窄的Gap设计可以使得电子穿过壳层，中和晶圆上多余的离子，有利于提高刻蚀剖面陡直度。
RIE-PE刻蚀机特点：
1、高选择性各向异性腐蚀，符合苛刻的制程要求。
2、全自动"一键"操作*代替手动操作。
3、易于使用的电脑触摸屏的参数控制和配方输入和存储。
4、晶圆尺寸达8"英寸直径，圆滑、紧凑的设计使用zui少的洁净室空间。
5、RIE-PE刻蚀机设计用于蚀刻氮化物、氧化物和任意需要氟基化学的薄膜或基片。其安装在节省空间的平台上的模块化设计，使其成为*许多用户的系统。
6、选项：ICP(电感耦合等离子)、涡沦泵、带背侧氦冷却系统和端点检测系统的静电吸盘等。
7、产品已全面开发出各种工艺，RIE-PE刻蚀机用于对使用氟基化学的材料进行各向同性和各向异性蚀刻，其中包括：碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、光阻剂、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨钛以及钨。
