• 淋浴头气流的平面ICP离子源应用于ALD系统

    点击次数:1370 发布时间:2017-09-14

    继NANO-MASTER*技术的带淋浴头气流分布的平面ICP离子源应用于NANO-MASTER的刻蚀系统,ICPECVD沉积系统,PA-MOCVD生长系统之后,该ICP离子源顺利应用于ALD系统。

    由于该型技术设计的ICP源为平面设计的远程等离子源,可以在更低电源下达到更高的离子密度,具有电子温度低、离子密度高、腔体空间占比低等优势,确保了该ALD系统具有薄膜无损伤、生长速度快、脉冲周期短(沉积效率可以达到两倍以上)的先进性能。此外,可以实现低温(100度以内)的薄膜生长。

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