RIE刻蚀机：独立式RIE系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12”的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空

NRE-3500型RIE-PE刻蚀机：PC控制的RIE刻蚀PE刻蚀一体机，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12“的晶圆片。腔体为超净设计，真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NRE-3000型RIE-PE刻蚀机：PC控制的RIE刻蚀PE刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12“的晶圆片。腔体为超净设计，真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NRE-4000（ICPA）全自动ICP刻蚀系统：自动上下载片，带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。