• 产品名称:NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀

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    产品特点:NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀:是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下,系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。

    NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀的详细资料:

    DRIE深反应离子刻蚀

    NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀概述:是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8" ICP源。系统可以配套500L/S抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下,系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。

    NDR-4000(M)DRIE深反应离子刻蚀主要特点:

    • 基于PC控制的紧凑型立柜式百级DRIE深硅刻蚀系统,拥有高纵横比的刻蚀能力;
    • 配套Lab View软件,菜单驱动,自动记录数据;
    • 触摸屏监控;
    • 全自动系统,带安全联锁;
    • 四级权限,带密码保护;
    • 手动上下载片;
    • He气背面冷却,-60摄氏度的低温样品夹具;
    • 高达-1000V的外部偏压;
    • 涡轮分子泵 + 涡旋干泵;
    • 可以支持DRIE和RIE两种刻蚀模式;
    • 实时显示真空、功率、反射功率图表,以及流量实时显示;

    配置内容:

    • 外观尺寸:紧凑型立柜式设计,不锈钢腔体,外观尺寸为44”(W) x 26”(L) x62”(H);
    • 等离子源:NM ICP平面等离子源,带淋浴头气体分布系统。等离子源安装在腔体顶部,通过ISO250的法兰连接;
    • 处理腔体:13”的圆柱形超净腔体,材质为阳极电镀铝。晶片通过气动顶盖装载,腔体带有上载安全锁,用户可以通过PC控制,至多可以装载8个小尺寸基片,至大可支持的晶圆尺寸为8”。腔体带有2”的观察窗口。腔体顶部的喷嘴式气流分配装置,提供8”区域的气体均匀分布。系统带暗区保护。
    • 样品台:6”的托盘夹具,能够支持6”的Wafer。可以冷却到-120摄氏度(包含LN2循环水冷系统),并采用He气实现背部冷却和自动锁紧,微精细地控制He气流量,包含气动截止阀;
    • 流量控制:支持5个或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蚀,带气动截止阀,所有的慢/快通道采用电磁阀和气动阀控制,电抛光的不锈钢气体管路带有VCR和VCO(压控振荡器)配件,所有导管以尽可能短的导轨密封设计,从而减低空间浪费并达到快速的气路切换。所有处理气体的管路在处理结束后,采用N2自动冲洗。
    • 真空系统:泵组包含涡轮分子泵和旋叶真空泵。
    • RF电源:13.56MHz,带自动调谐功能的1000W射频电源,作为ICP源。另外,带自动调谐功能的600W射频电源用于基台偏压。
    • 操作控制:整个系统通过预装的Lab View软件和触摸监控系统,实现PC全自动控制。MFC,阀和顶盖都是气动式的,都可PC控制。系统的实时压力和直流自偏压以图表格式显示,而流量和功率则以字母数字形式显示。系统提供密码和安全连锁机制的四级权限控制。

     

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