• 产品名称:NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀

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    产品特点:NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。

    NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀的详细资料:

    IBE离子束刻蚀系统

    NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。

    NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时,旋转晶圆片以达到想要的均匀度。

    NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀产品特点:

    • 14.5”不锈钢立体离子束腔体
    • 16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板
    • 离子束中和器
    • 氩气MFC
    • 6”水冷样品台
    • 晶片旋转速度310RPM,真空步进电机
    • 步进电机控制晶圆片倾斜
    • 手动上下载晶圆片
    • 典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500 ?/min
    • 6”范围内,刻蚀均匀度+/-3%
    • 极限真空5x10-7Torr20分钟内可达到10-6Torr级别(配套500 l/s涡轮分子泵)
    • 配套1000 l/s涡轮分子泵,极限真空可达8x10-8Torr
    • 磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
    • 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
    • 菜单驱动,4级密码访问保护
    • 完整的安全联锁

     

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