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NRE-4000(M)反应离子刻蚀

NRE-4000(M)反应离子刻蚀:独立式RIE系统,淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品,不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12"的晶圆片。腔体为超净设计,并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2023-11-13
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产品详情

反应离子刻蚀

NRE-4000(M)反应离子刻蚀概述

NRE-4000是一款独立式RIE系统,配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持大到12”的晶圆片。腔体为超净设计,并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。

该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制,该系统具有高度的可重复性。

NRE-4000(M)反应离子刻蚀产品特点

  • 铝质腔体或不锈钢腔体
  • 不锈钢立柜
  • 能够刻蚀硅的化合物(~400Å /min)以及金属
  • 典型的硅刻蚀速率,400 Å/min
  • 高达12”的阳极氧化铝RF样品台
  • 水冷及加热的RF样品台
  • 大自偏压
  • 淋浴头气流分布
  • 极限真空5x10-7Torr20分钟内可以达到10-6Torr级别
  • 涡轮分子泵
  • 至多支持8MFC
  • 无绕曲气体管路
  • 自动下游压力控制
  • 双刻蚀能力支持:RIE以及PE刻蚀(可选)
  • 终点监测
  • 气动升降顶盖
  • 手动上下载片
  • 基于LabView软件的PC计算机全自动控制
  • 菜单驱动,4级密码访问保护
  • *的安全联锁
  • 可选ICP离子源以及低温冷却样品台,用于深硅刻蚀

NRE-4000(M) Features

  • Aluminum or Stainless Steel Chamber
  • Stainless Steel Cabinet
  • Capable of etching Si compounds (~400 Å /min)and metals
  • Typical Si etch rate, 400 Å/min
  • Up to 12“ Anodized RF Platen
  • Water Cooled and Heated RF Platen
  • Large Self Bias
  • Shower Head gas distribution
  • Approximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure
  • Turbomolecular Pump
  • Up to eight MFCs
  • No flexing of gas lines
  • Down Stream Pressure Control
  • Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch(Option)
  • End Point Detection
  • Pneumatically Lifted Top
  • Manual loading/unloading
  • PC Controlled with LabVIEW
  • Recipe Driven, Password Protected
  • Fully Safety Interlocked 
  • Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch
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