晶圆测厚仪 MX203-4-21是一款手动载片的晶圆几何特性量测仪，适用于直径分别为 50 mm、75 mm和 100 mm的硅片。该设备专为控制晶圆厚度与形状而设计，同时可选配应力评估功能以满足更全面的检测需求。与所有其他 E+H 晶圆几何量测仪器一样，采用了 E+H 的非接触式电容式距离传感器技术。

晶圆测厚仪 MX203-4-21是一款手动载片的晶圆几何特性量测仪，适用于直径分别为 50 mm、75 mm和 100 mm的硅片。该设备专为控制晶圆厚度与形状而设计，同时可选配应力评估功能以满足更全面的检测需求。

MX20系列晶圆厚度测量仪主要用于测量直径为2寸，3寸，4寸，5寸，6寸，8寸，12寸晶圆的厚度，TTV，Bow弯曲度，Warp翘曲度，Flatness平整度，Stress应力等晶圆参数。

晶圆测厚仪 MX203-4-21与所有其他 E+H 晶圆几何量测仪器一样，采用了 E+H 的非接触式电容式距离传感器技术。每片晶圆的纯测量时间最长为 5 秒，在操作员进行手动装载与卸载的情况下，完成一个完整的晶圆测量流程大约需要 20 秒。

The Wafer Geometry Station晶圆几何特性测量工作站

晶圆几何测量站由一个下探针头和一个上探针头构成。每个探针头均以一块平板为基础，该平板中径向排列嵌入了 21 个非接触式电容距离传感器。两块传感器板呈水平安装，并以面对面的方式精确对齐。通过用参考晶圆进行简单的校准，即可获得每对传感器之间的距离。

Measurement Principle 测量原理

厚度Thickness和翘曲度Bow/Warp测量在一个周期内完成。在测量过程中，晶圆自由地放置在下探针头内部安装的支撑点上。对顶部传感器至晶圆正面的距离，以及底部传感器至晶圆背面的距离进行测量。

晶圆厚度由每对传感器之间已知距离减去所测得的顶部与底部距离之和计算得出。此外，翘曲测量还额外利用了底部传感器测得的距离数据。在整个测量过程中，晶圆始终保持静止状态，从而确保了测量结果的高度重复性和精确性。

Measurement type 测量类别

Thickness 晶圆厚度

Flatness (TTV) 平整度/总厚度变化

Bow 弯曲

Warp 翘曲

Stress 应力（选配）

Technical Data 技术参数

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