NIE-3500（R）RIBE反应离子束刻蚀：可以用于光栅刻蚀，SiO2二氧化硅、Si 硅以及金属等的深槽刻蚀。此外，还可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。系统可以兼容反应气体以及非反应气体，比如Ar，O2，CF4，Cl2等。

NIE-4000IBE离子束刻蚀系统：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。 NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内。