• 产品名称:NLD-3500(M)原子层沉积设备

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    产品特点:NLD-3500(M)原子层沉积设备:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

    NLD-3500(M)原子层沉积设备的详细资料:

    原子层沉积技术

    NLD-3500(M)原子层沉积设备概述:

    原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

    NLD-3500(M)原子层沉积设备特点:

    NLD-3500是一款紧凑型独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统,带Labview软件,具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计,并提供了强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-3500系统提供12”的铝质反应腔体,带有加热腔壁和气动升降顶盖,非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达750ml的加热汽缸,用于前驱体以及反应物,同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。

    选配:

    NLD-3500设备的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)ICP离子源(用于等离子增强的PEALD),臭氧发生器,等等。

    应用:

    • Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etc
    • Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
    • Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS应用.
    • Nano laminates纳米复合材料

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